JOPSS:検索結果一覧

論文

Enhanced damage buildup in C $^{+}$ -implanted GaN film studied by a monoenergetic positron beam

Li, X. F.*; Chen, Z. Q.*; Liu, C.*; Zhang, H.; 河裾厚男

Journal of Applied Physics, 117(8), p.085706_1 - 085706_6, 2015/02

被引用回数：23 パーセンタイル：68.13(Physics, Applied)

280keV炭素イオン注入によりGaN中に導入される損傷を低速陽電子ビームを用いて研究した。陽電子消滅線エネルギースペクトルのドップラー拡がりから、原子空孔クラスターが導入されていることが分かった。800 $^{circ}$ Cのアニールにより、それらはマイクロボイドに成長し、1000 $^{circ}$ Cのアニールでも残留することが明らかになった。透過電子顕微鏡観察の結果、損傷層は非晶質化していることが分かった。GaN中におけるイオン注入によるマイクロボイドの形成と非晶質化は、炭素イオンに特有の現象と考えられる。

論文

Crystal nucleation behavior with annealing of SiC irradiated with Ne above 573K

相原純; 北條喜一; 古野茂実*; 石原正博; 山本博之

Proceedings of 8th Asia-Pacific Conference on Electron Microscopy (8APEM) (CD-ROM), p.722 - 723, 2004/06

SiCのTEM試料が20keVNeで573, 583, 598, 683Kで1.5x10 $^{20}$ Ne+/m $^{2}$ まで照射され、引き続き1273Kで30分焼鈍された。573Kと583K照射の場合には、照射による非晶質化と焼鈍による結晶核生成が起こった。結晶核生成領域とエピタキシャル成長領域ではバブルの粗大化がはっきり観察された。593K照射の場合には部分的に非晶質化が起こったが結晶核生成は起こらなかった。673K照射の場合には非晶質化は起こらず、焼鈍によっての変化は観察されなかった。

論文

Depth-dependent and surface damages in MgAl $_{2}$ O $_{4}$ and MgO irradiated with energetic iodine ions

有賀武夫; 片野吉男*; 大道敏彦*; 岡安悟; 数又幸生*; 實川資朗

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 197(1-2), p.94 - 100, 2002/11

https://doi.org/10.1016/S0168-583X(02)01359-9

被引用回数：9 パーセンタイル：51.46(Instruments & Instrumentation)

アルミナ(Al $_{2}$ O $_{3}$ ),スピネル(MgAl $_{2}$ O $_{4}$ ),マグネシア(MgO)焼結体試料にタンデムからの85MeVのヨウ素イオンを110 $^{14}$ /m $^{2}$ ・sの線束で1.210 $^{19}$ /m $^{2}$ まで室温照射した。透過電顕による観察の結果、スピネルではアルミナより~1m深くまで非晶質化が認められ、複雑な組成の方が非晶質化し易い傾向を見いだした。MgOでは非晶質化などの損傷は認められなかったが、X線回折の結果、約10m厚さの表面層で微結晶表面が(100)面に再配列することを新たに見いだした。透過電顕での電子線回折では認められないこれらの変化は、高エネルギーイオンの透過に伴う飛跡に沿って再配列が生じると考えられる。

論文

The Interpretation of surface damages in Al $_{2}$ O $_{3}$ , MgAl $_{2}$ O $_{4}$ and MgO irradiated with energetic iodine ions

有賀武夫; 片野吉男*; 大道敏彦*; 實川資朗

Surface & Coatings Technology, 158-159, p.444 - 448, 2002/09

アルミナ(Al $_{2}$ O $_{3}$ ),スピネル(MgAl $_{2}$ O $_{4}$ ),マグネシア(MgO)焼結体試料にタンデム加速器からの85MeVのヨウ素イオンを110 $^{14}$ /m $^{2}$ の線束で最高1.210 $^{19}$ /m $^{2}$ まで室温照射した。1.210 $^{19}$ /m $^{2}$ まで照射したスピネルでは~6mの深さまで完全に非晶質化したことが、透過電顕の観察からわかった。しかし結晶粒によっては6.5mの深さまで非晶質化が起こり、イオンの飛行方向と粒の方位に関係して非晶質化が起こることを指摘した。またスピネルでは、アルミナで認められたような、非晶質化しかかっている粒が、既に非晶質化した表面近くの領域に移動する現象は生じない。さらにスピネルとマグネシアでは照射後3~3.5年で、表面に0.1m以下の厚さの、金属光沢をもって薄膜が形成された。今後、この形成のメカニズムを明らかにする必要がある。

論文

イオンビームを用いた黒鉛の非晶質化過程とカーボンオニオン生成

阿部弘亨

炭素素原料科学と材料設計,3, p.5 - 14, 2001/00

http://ci.nii.ac.jp/naid/10004743274

イオン注入/照射下においては物質中に格子欠陥を注入イオンが蓄積する。その結果、非晶質化などの相変態や新規注入が形成される。本稿では炭素系において観測される非晶質化ならびに同心球状黒鉛ナノ粒子(カーボンオニオン)について、最近のわれわれの研究成果を総説した。まず、非晶質化線量の温度依存性からイオン注入条件を確立した。すなわち700K以上の高温では非晶質化せず、黒鉛の結晶構造が保持され、イオン注入で形成されるオニオンの結晶構造が安定であるとの指針を得た。またイオン注入後ならびにその場観察実験によって、オニオンの核形成・成長・集積過程を明らかにした。さらに多量生産に関する技術的基盤を整えた。

論文

Amorphization behaviors in polycrystalline alumina irradiated with energetic iodine ions

有賀武夫; 片野吉男; 大道敏彦; 岡安悟; 数又幸生

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 166-167, p.913 - 919, 2000/05

https://doi.org/10.1016/S0168-583X(99)00800-9

被引用回数：32 パーセンタイル：86.9(Instruments & Instrumentation)

電気絶縁体であるセラミック材料の照射損傷機構を解明するため、アルミナ焼結体に85MeV沃素イオン(I $^{7+}$ )を最高110 $^{19}$ /m $^{2}$ まで室温で照射し、損傷組織を入射方向に沿って11mの深さまで観察した。表面から約4mの深さまでは照射によってほとんど非晶質化し、6.5mより深い領域では結晶粒組織がほぼ完全に残る。4~6.5mの間の、結晶-非晶質の遷移領域では非晶質領域を表面に向かって移動したと認められる粒や、その途中で微細化した粒が観察された。従来、セラミック(アルミナ)の非晶質化は、核的エネルギー付与によるはじき出し損傷の関数で整理されてきたが、今回の結果は、はじき出し損傷がピークとなる7~9mの深さの範囲では非晶質化が認められず、電子系へのエネルギー付与が大きな4mまでの範囲で顕著な非晶質化を認めた。

論文

Behavior of neutron-irradiated U $_{3}$ Si

宇賀神光弘; 赤堀光雄; 伊藤昭憲; 大岡紀一; 中倉優一

Journal of Nuclear Materials, 248, p.204 - 208, 1997/00

https://doi.org/10.1016/S0022-3115(97)00199-2

被引用回数：8 パーセンタイル：56.36(Materials Science, Multidisciplinary)

ホットプレス法とピクチャーフレーム法とにより調製したU $_{3}$ Si基燃料をJMTRで照射した。燃焼度は、最高約60%FIFAで照射温度は約190 $^{circ}$ C~280 $^{circ}$ Cであった。照射後試験の結果、次のことが分かった。中性子照射によって燃料は、液体類似の性質を示すことから示唆される非晶質化を起こすとともに塑性変形する。この結果、FPガス気泡が成長・粗大化しスエリングは大きくなる。この燃料スエリングは、被覆材の拘束力により抑制できる。U $_{3}$ Si-Al反応に関しては、U $_{3}$ Si表面の酸化前処理によって反応層の厚みは著しく減少する。

論文

Isotope effect between hydrogen and deuterium ion irradiation on titanium carbide (TiC) at low temperature

北條喜一; 古野茂実; 大津仁*; 出井数彦*; 笹嶋尚彦*

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, 127-128, p.203 - 207, 1997/00

低速イオン照射にともなうTiC結晶の構造変化とその電子状態を電界放出型電子顕微鏡と透過電子エネルギー損失分光装置(EELS)を用いて観察・測定した。その結果、18Kにおける水素照射で非晶質相の形成を観察した。又、EELSによる測定からTiC結晶のプラズモン損失ピークが0.6eV低エネルギー側にシフトすることを初めて見い出した。この変化は重水素照射では観察・測定できなかった。又、非晶質相の再結晶化温度を測定した結果、約1173Kであることを明らかにした。

論文

In situ observation of damage evolution in TiC during hydrogen and deuterium ion irradiation at low temperatures

北條喜一; 大津仁*; 古野茂実; 笹島尚彦*; 出井数彦*

Journal of Nuclear Materials, 239(1-3), p.279 - 283, 1996/00

https://doi.org/10.1016/S0022-3115(96)00430-8

被引用回数：14 パーセンタイル：74.17(Materials Science, Multidisciplinary)

TiCは低温(~20K)照射において非晶質化し難い物質であるが、水素イオン照射では非晶質化が起る。これは水素とTiやCとの化学結合が再結晶化を妨げているためと考えられる。一方、重水素イオン照射では非晶質化は起こらない。これはトンネル効果による化学反応のし易さが水素と重水素とでは10~100倍異なり、この効果が極低温で現れたものと推論した。

論文

Quantitative X-ray diffraction analysis of titanate waste forms and its application to damage ingrowth

White, T. J.*; 三田村久吉

Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol.294, p.109 - 116, 1993/00

定量粉末X線回折法を利用して、蓄積崩壊数で1.2410 $^{18}$ 個/gまでのキュリウム添加シンロック構成相について、放射線損傷による変化を解析した。アクチニド母相については、ペロブスカイトの方が、ジルコノライトよりも放射線損傷をより受け易いことが明らかとなった。さらに、キュリウムを含まないホランダイトやフロイデンバーガイト相でも、線によると推定される構造変化が見られた。各相の存在量の解析値から、蓄積崩壊数1.2410 $^{18}$ 個/gの試料で、約20%のアクチニド母相が非晶質化していると推定された。

論文

原子力材料への照射効果; 核燃料および廃棄物セラミックスを中心として

荒井康夫; 大道敏彦

日本原子力学会誌, 33(8), p.757 - 760, 1991/08

https://doi.org/10.3327/jaesj.33.757

EC超ウラン元素研究所のDr.Hj.Matzkeが、本年の原子力学会春の年会(近畿大学)で行った招待講演を抄訳したものである。講演の内容は、氏の専門分野の一つである原子力材料の照射損傷に関するもので、主としてセラミックス系核燃料の核分裂片損傷及び廃棄物固化体の線損傷について、その基本原理に始まり、最近の研究の進歩までのあらましを紹介したものである。

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